Опрос
|
реклама
Быстрый переход
3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
23.04.2026 [22:17],
Геннадий Детинич
Стековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов. 
Источник изображений: NEO Semiconductor О создании образца 3D X-DRAM в рамках доказательства концепции сообщила молодая американская компания NEO Semiconductor. Год назад она безуспешно искала поддержки среди производителей памяти, а сегодня у неё нет отбоя от инвесторов и заказчиков. Руководство компании утверждает, что ведутся интенсивные переговоры с рядом ведущих производителей памяти и это ускорит появление стековой ОЗУ. Важным моментом в деятельности NEO Semiconductor стало привлечение на свою сторону такого инвестора, как Стэн Ши (Stan Shih). В мире электроники это человек-легенда. Сейчас ему 81 год. В своё время он основал компанию Acer и около 20 лет возглавлял компанию TSMC. Также значимым стало сотрудничество с высшими учебными заведениями Тайваня — Национальным университетом Янмин Цзяотун (NYCU) и его подразделением — Школой инноваций в сфере взаимодействия промышленности и академических кругов (Industry-Academia Innovation School, IAIS). Образец также был изготовлен на Тайване — в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников (National Institutes of Applied Research — Taiwan Semiconductor Research Institute, NIAR-TSRI). Вероятно, тестирование и измерение характеристик образца также были проведены в стенах NIAR-TSRI. В компании сообщают, что задержка чтения/записи составила менее 10 нс, время регенерации при 85 °C — более 1 секунды (в 15 раз лучше, чем в стандарте JEDEC — 64 мс), устойчивость к износу достигла 10¹⁴. Помехоустойчивость также была на высоком уровне. «Я рад, что благодаря тесному партнёрству между промышленностью и научными кругами удалось подтвердить осуществимость концепции 3D DRAM от NEO в реальных условиях кремниевого производства, — сказал Джек Сан (Jack Sun), старший вице-президент Нью-Йоркского университета и декан Института прикладных исследований в области науки и технологий, а также бывший технический директор TSMC. — Успешная проверка концепции не только демонстрирует потенциал инновационных архитектур памяти, но и подтверждает возможность внедрения передовых технологий памяти с использованием отработанных процессов».  По замыслу разработчиков NEO Semiconductor, стековая компоновка памяти DRAM и чрезвычайно широкая шина данных — порядка 32 000 бит — позволят создавать оперативную память с плотностью записи 512 Гбит на кристалл и пропускной способностью в 16 раз выше, чем у современной памяти HBM. Развитие стандарта HBM не предполагает появления ничего подобного раньше середины нынешнего века, тогда как NEO Semiconductor готова представить оперативную память с такими характеристиками в обозримом будущем. Lenovo установила дедлайн для заказов по старым ценам — дальше из-за дефицита памяти будет рост
21.02.2026 [22:58],
Анжелла Марина
Компания Lenovo официально уведомила своих партнёров о вынужденном повышении цен на ряд конфигураций для ПК и серверов. Причиной пересмотра прайс-листа стал глобальный рост стоимости памяти DRAM и 3D NAND, который уже заставил скорректировать политику таких гигантов, как Cisco и HPE. 
Источник изображения: Lenovo По сообщению Tom's Hardware, руководитель канала в Северной Америке Уэйд Макфарланд (Wade McFarland) в письме от 2 февраля объяснил это решение дефицитом и ростом стоимости памяти DRAM и 3D NAND. Изменения затрагивают как ключевое подразделение Lenovo — Intelligent Devices Group (IDG), отвечающее за разработку и производство потребительской и корпоративной электроники, в частности смартфонов и ноутбуков ThinkPad, так и подразделение Infrastructure Solutions Group (ISG), специализирующееся на создании умных ИТ-инфраструктур для организаций различного масштаба. Для сохранения текущих цен на коммерческие продукты подразделение IDG установило строгие временные рамки: партнёры обязаны разместить заказы у дистрибьюторов до 25 февраля и обеспечить их поступление в Lenovo не позднее 28 февраля. Производитель в этом случае гарантирует сохранение стоимости при наличии товара и соблюдении графиков поставок. Однако в письме содержится важное условие о пересмотре цен для любых заказов, которые будут приняты вовремя, но не отгружены до 31 марта 2026 года. В серверном сегменте ISG компания сократила срок действия коммерческих предложений до 14 дней во внутренней системе и до 30 дней на внешней платформе. Кроме того, 26 января была приостановлена программа бонусов за привлечение новых клиентов, так как предоставление авансовых скидок стало экономически невыгодным. Реакция партнёров на нововведения оказалась неоднозначной. Кэмден Хейли (Camden Haley) из компании Connection положительно оценил действия Lenovo за предоставление чётких сроков и соблюдение графика коммуникации. Он противопоставил этот подход действиям других OEM-производителей, которые часто меняли правила игры задним числом. В то же время руководитель другой партнёрской компании на условиях анонимности выразил обеспокоенность новыми условиями отгрузки. Признавая объективные сложности текущей рыночной ситуации, он отмечает, что требование отгрузки до определённой даты фактически даёт Lenovo право пересчитывать стоимость уже размещённых заказов в случае задержек поставок. Память DRAM подорожала почти на 10 % за неделю — поставщики придерживают чипы
14.01.2026 [16:37],
Анжелла Марина
Спотовые цены на рынке оперативной памяти DRAM продолжили уверенный рост, несмотря на низкие объёмы торгов. Аналитики TrendForce объясняют эту динамику позицией трейдеров, которые не спешат расставаться с имеющимися запасами в ожидании дальнейшего повышения стоимости. 
Источник изображения: Lenovo
Источник изображения: trendforce.com Схожая динамика прослеживается и в сегменте флеш-памяти NAND, где котировки также продолжили свой рост. Тем не менее, объёмы транзакций остаются невысокими из-за сочетания следующих факторов: значительно возросших цен, вялого спроса на потребительские товары и грядущей остановки фабрик на период празднования китайского Нового года. 
Источник изображения: trendforce.com Часть покупателей решила занять выжидательную позицию, однако спотовые трейдеры, сохраняя оптимизм относительно будущих рыночных трендов, отказались снижать цены ради стимулирования продаж. Такое противостояние привело к вялотекущей активности на рынке, но не остановило рост стоимости компонентов, отмечают аналитики. За отчётную неделю средняя спотовая цена на 512-гигабитные TLC-пластины увеличилась на 9,68 % и составила $15,052. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. Спотовые цены на NAND и DRAM продолжили падение и восстанавливаться не собираются
20.06.2024 [13:38],
Павел Котов
Спотовые цены на память DRAM и NAND продолжают падать и едва ли в ближайшее время вырастут, считают аналитики TrendForce. Во-первых, у участников рынка всё ещё много запасов. Во-вторых, дополнительное влияние на цены DRAM оказали недавние действия китайского правительства против контрабанды восстановленных компонентов памяти. 
Источник изображения: samsung.com Спотовые цены на рынке DRAM продолжают снижаться, что резко контрастирует с контрактными ценами. Это происходит из-за избыточных запасов на заводах по производству модулей памяти, которые, как правило, закупают микросхемы на спотовом рынке. Снижению цен способствует и слабый спрос на рынке потребительских товаров: производителям готовых устройств не нужно больше памяти, и они на спотовом рынке не закупаются. 
Спотовые цены DRAM. Источник изображения: trendforce.com Ещё одним способствующим снижению цен фактором стала борьба с контрабандой на китайском рынке — дешевеют чипы DRAM, подвергшиеся процедуре реболлинга. Реболлинг — это метод ремонта чипов DRAM посредством замены шариков припоя на нижней стороне чипа, используемых для его соединения с печатной платой. Во многих случаях такие чипы начинают работать снова, но они уже не так надёжны, как новые. С конца мая средняя цена чипа DDR4 1Gx8 2666MT/s снизилась на 2,54 %, а только за последнюю неделю она упала с $1,881 до $1,835. 
Спотовые цены NAND. Источник изображения: trendforce.com Аналогичным образом проседает спотовый рынок NAND — у производителей SSD сформировались достаточные уровни запасов, что препятствует восстановлению спроса, несмотря на снижение цен спотовыми поставщиками. Растёт разрыв между спотовыми и контрактными ценами. И остаётся неопределённость в отношении спроса на пополнение запасов в III квартале 2024 года. Лишь на этой неделе спотовая цена на пластину 512 Гбит 3D TLC NAND снизилась на 0,57 % до $3,309. Из-за слабого спроса рынки DRAM и NAND переживают непростой период с точки зрения ценообразования. И в краткосрочной перспективе аналитики TrendForce восстановления цен не ожидают. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
